回收IGBT模块、功率三极管以及工厂闲置呆料是一个涉及资源管理、环境保护和经济效益的重要过程。以下是一些关键步骤和考虑因素，以确保这些电子元件得到妥善处理： 1. 库存盘点与分类 全面盘点：首先，对工厂内的IGBT模块、功率三极管以及闲置呆料进行全面盘点，了解具体数量、型号和状态。 细致分类：根据元件的类型、性能、封装和制造商等信息进行分类，以便后续处理。 2. 质量评估与测试 性能测试：使用专业设备对IGBT模块和功率三极管

#IGBT# #IGBT模块# #MOSFET# IGBT - TRinno Technology 提供基于先进 FS IGBT 技术的高性能 IGBT 产品。 这些产品使我们能够为各种功率转换应用提供经济高效、可靠且高效的解决方案。 RC-IGBT 技术已通过自己的后端设施得到验证。 - 感应加热、焊机、UPS、逆变器等。 IGBT晶圆 - 结型 MOSFET 为 AC/DC 转换提供高效、可靠的电源解决方案。 40V 至 100V 的中压沟槽 MOSFET 符合汽车标准。 - 适配器、LED 照明、SMPS、PFC 等。 二极管 - TRinno Technology 使用寿命控制工艺以及薄晶圆加工

FF450R08A03P2：750V，450A的IGBT模块 说明：功率驱动器模块 IGBT 半桥 750V 450A 模块 类型：IGBT 配置：半桥 电流：450 A 电压：750 V 电压 - 隔离：2500Vrms 安装类型：底座安装 封装/外壳：模块 FS950R08A6P2B：750V，950A的IGBT模块 说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 750 V 950 A 870 W 底座安装 IGBT 类型：沟槽型场截止 配置：三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）：750 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：950 A 功率 - 最大值：870 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.35V @

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为了提高核心器件IGBT、MOSFET等开发检测能力，及时有效剔除存在产品中缺陷隐患的不合格产品，实现自主产品维修，节约产品维护成本，提高产品质量的可靠性，一套动静态、雪崩、浪涌、老化可靠性等自动化大功率半导体器件测试系统，可用来满足核心功率器件的维修检测与实验室的测试研发需要。 半导体功率器件的动态参数的优良决定着器件的开关性能，通常希望的功率器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际产品应用中

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

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为什么要进行浪涌测试？ SiC器件虽然拥有诸多优势，但是由于SiC MOSFET栅氧工艺的局限性，其可靠性存在不少问题。 如果要实现SiC MOSFET的广泛应用，可靠性问题是必须要解决的一个问题。其中，浪涌可靠性是器件可靠性指标的一种，是指MOSFET承受浪涌电流的能力。浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。 在电子设计中，浪涌主要指的是电源刚开通的那一瞬息产生的可能高于电源本身的强力

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MOSFET/IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其动态特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的动态性能具有极其重要的实际意义。 EN-1230A分立器件动态参数测试系统，是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统，额定测试电流不超过200A，测试电压不超

深圳市明佳达电子优势出售PKG4410PI 15A IGBT模块 DC/DC，全新原装，价格方面请以当天咨询为准，有实单欢迎详谈。 模块介绍 DC/DC转换器的PKG系列是48/60伏直流电源系统中分布式电源架构的DC/DC转换器系列的成员。它们提供高达60W的单输出和双输出版本。 模块特点 尺寸 74.7x63.5x11.0 mm 满载时效率典型值为86% (5V) 1500Vdc隔离电压 在+75℃的温度下，平均无故障寿命> 200年 坚固的机械设计和高效的热管理，最高+100℃的外壳温度

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

对于任何一个器件，在使用之前，无论是生产方还是使用方都会进行充分的验证，以确定产品的性能是否符合相应的需求。今天我们就来说一说有关IGBT的一项比较重要的测试——双脉冲测试(Double Pulse Test)。 为什么叫双脉冲测试？单脉冲不可以吗？ 在大部分电力电子装置中，负载的电感量都比较大，在IGBT关断后，电感电流一般不会断流，二极管会一直续流，在此时开通IGBT，会有二极管的反向恢复过程。而单脉冲实验中是没有二极管反向恢复过程的，

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中： （1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。 各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数，系统

一、IGBT应用技术的讨论 IGBT中文称之为场效应双极晶体管或隔离栅双极晶体管。IGBT已经被各种电力电子产品广泛应用，在中大功率的变流器中为主流器件。IGBT的应用技术远比MOSFET复杂，有必要对IGBT应用技术作深入的探讨。 二、IGBT的目标用户 主要目标用户为驱动各类电机的调速； 新能源的变流器：风能发电，太阳能发电（光伏）； 稳压开关电源类，高频直流焊机（恒流）等。 其他：谐波治理，高压直流输变电，电磁炉，UPS等等。 三、IGBT的前沿应

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州扬杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试

1、系统概述 ENL3010系列FRD浪涌电流测试系统的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验仪是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点： 1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备，电流最大可扩展至20kA,带阻断功能的设备电压可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。 2、该试验台的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 3、该试验台采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转

一、 概述 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初

2020年04月中旬，易恩电气自主研发生产的功率器件图示系统ENJ2005-C在安徽某研究院上线运行，此次设备主要用于实验室的器件选型及失效分析。 易恩电气以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏HTRB、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研

2019年07月中旬，易恩电气为大连某客户提供大功率晶闸管检测服务，本次共检测元件8只。易恩电气现对外提供功率半导体器件检测服务，可满足客户多重需求。

联系我吧，易恩电气是专门做IGBT模块的动态参数测试，IGBT模块双脉冲测试系统的 EN-6500A IGBT动态参数测试系统 1、规格环境 Ø 工作电压：三相五线制AC380V±10%，或单相三线制AC220V±10%； Ø 电网频率：50Hz±1Hz； Ø 海拔高度：海拔不超过1000m； Ø 温度：储存环境温度 -20℃～60℃； Ø 工作环境温度：-5℃～40℃； Ø 湿度：20%RH至90%RH (无凝露，湿球温度计温度：40℃以下)； Ø 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害； Ø 气源：≥0.6

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1、系统概述 现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，

1、功能范围： EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、

2020年05月上旬，我公司自主研发的半导体分立器件测试系统ENJ2005-B在广州某半导体器件厂上线运行。 ENJ2005-B是我公司的一款标准设备，测试范围广，升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装

2019年8月上旬，我公司自主研发生产的功率器件图示系统ENJ2005-C在东莞某元器件生产厂上线运行，该公司与2019年1月份向我公司咨询这款设备，主要用于做器件的出厂检测，老化实验。

2019年08月初，上海某电力元件生产商来我公司参观并咨询二极管正向浪涌电流测试设备，我公司工程师王工、叶工进行了耐心的讲解，并对客户所带来的器件进行了现场的检测以及演示了我们设备的各项功能。满足了对方的需求，客户对我公司二极管正向浪涌电流测试设备表示高度的认可。

安易恩电气科技有限公司位于中国陕西西安高新区，公司决定于2020年03月01日开始恢复生产。 为预防复工期间产生群聚感染效应及保护我们的职员避免新冠状病毒感染的威胁，我们承诺自己尽到社会责任及严格遵守当地政府的防护措施，以确保每位员工的身体健康和安全。并将继续为所有的客户提供优质的服务和高品质的产品。

IGBT 是一个难啃的骨头，这是一个公认的事实。 市场需求大，中国企业落后，这又是一个不争的事实。 根据市场研究机构的数据，中国目前 IGBT 市场规模约为 150 亿人民币，但 95%的市场被国外企业所垄断。唯一有突破希望的是之前文章里曾提到连续 22 个涨停下的中国 IGBT 过的，那个连续 22 个涨停的斯达半导（股票代码：603290）。 至于其他功率半导体器件的上市公司，产品还是以传统的 MOSFET 和二极管为主，号称有 IGBT 产品，也大都处在一个炒概念的

为了保证产品的耐久性能，也就是产品使用的寿命。IGBT模块厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。一般常见的测试的项目如下图所示。 这出自一份英飞凌关于3300V IHV-B封装产品系列的产品认证报告Product Qualification Report。这个报告里的测试项目，除了ESD静电测试以外，都是和IGBT模块的寿命相关的。寿命相关测试可以分成两部分，一部分是对于芯片本身寿命的考核，另一部分是对机械连接的考核。其中对芯片本身寿

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州杨杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。 近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试

1产品概述 EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。 联系易恩：152 4920 2572 2规格环境与参数指标 2.1规格环境与参

1、门极触发特性 Ø 门极触发电压：0.30—5.00V 分辨率0.01V 精度±5%±0.02V; Ø 门极触发电流：10—500mA 分辨率1mA 精度±5%±1mA Ø 阳极电压：12V； Ø 阳极串联电阻：6Ω； Ø 测试频率：单次。 2、维持电流 Ø 阳极电压：12V； Ø 维持电流：10—500mA 分辨率1 mA 精度±5%±1mA; Ø 测试频率：单次。 Ø 预导通电流：30A，衰减波 3、通态压降测试 Ø 通态峰值电流：10—100A，分辨率1A，精度±3%±10A； Ø 通态电压：0.20V—9.99V，分辨率：10mV；准确度±3%±10mV； Ø 测试频率：单

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因为公司停产电磁产品，目前剩下一些配件，有英飞凌，三菱，IGBT模块，IPM模块，全部4折出，量不是很多，没有使用过，有需要联系我。