FF450R08A03P2：750V，450A的IGBT模块
说明：功率驱动器模块 IGBT 半桥 750V 450A 模块
类型：IGBT
配置：半桥
电流：450 A
电压：750 V
电压 - 隔离：2500Vrms
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
FS950R08A6P2B：750V，950A的IGBT模块
说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 750 V 950 A 870 W 底座安装
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）：750 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：950 A
功率 - 最大值：870 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.35V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
FS650R08A4P2：750V，375A的IGBT 模块
说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 750 V 375 A 20 mW 底座安装
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）：750 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：375 A
功率 - 最大值：20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.35V @ 15V，375A
电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：65 nF @ 50 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
明佳达电子，星际金华长期（供应且回收）模块FF450R08A03P2，FS950R08A6P2B，FS650R08A4P2。
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