型号：IRFR4510TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：100V - 最大电流：70A - RDS(ON)：9mΩ @ 10V, 20mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：3.2V - 封装：TO252 应用简介： IRFR4510TRPBF-VB是一款高功率N沟道MOSFET，适用于需要高电流和高电压的应用。其低通态电阻和高电流承受能力使其在高功率电子设备中非常有用。 应用领域： 1. **电源管理模块**：IRFR4510TRPBF-VB可用于高功率电源管理模块，以实现电源开关和电池保护，特别适用于高功

型号：SQD19P06-60L-GE3-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-60V - 最大电流：-22A - 开通态电阻：48mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.5V 封装：TO252 该型号的SQD19P06-60L-GE3-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-60V，表示它可以承受不超过60伏的电压。 - 最大电流：-22A，该MOSFET可以承受最高22安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别

型号：HM2310PR-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 - 最大耐压：60V - 最大漏电流：5A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1V to 3V - 封装：SOT89-3 应用简介： HM2310PR-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于多种中功率电子系统。 领域模块应用： 1. DC-DC转换器模块：HM2310PR-VB可用于中功率DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。 2. 电机控制模块：在中功率电机控制

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 SI4413DY-T1-E3-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** SI4413DY-T1-E3-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-11A - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V - 门源电压阈值 (Vth)：-1.42V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOP8 **产品应用简介：** SI4413DY-T1-E3-VB 是一款 P 沟道 MOSFET，具有较高的额定电流承受能力和极低的漏极-源极电阻，适合用于多种电子设备和模块的功率开

型号：NTF3055-100T1G-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：60V - 最大电流：4A - RDS(ON)：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：1.53V - 封装：SOT223 应用简介： NTF3055-100T1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于低电压和低功率应用。它具有适中的电压额定值和电流承受能力，适合多种低功率电子设备。 应用领域： 1. **电源管理模块**：NTF3055-100T1G-VB可用于低功率电源管理模块，以实现电源开关和电池保护。 2. **便携式电子设备**：

型号：IRF9310TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-11A - 开通态电阻：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.5V 封装：SOP8 该型号的IRF9310TRPBF-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-30V，表示它可以承受不超过30伏的电压。 - 最大电流：-11A，该MOSFET可以承受最高11安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为11毫

型号：AP9575AGH-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-60V - 最大漏电流：-38A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：-1.3V - 封装：TO252 应用简介： AP9575AGH-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用领域。其低导通电阻和耐压特性使其非常适合用于功率控制和开关电路。该器件在负责电源管理和功率放大的应用中表现出色。 领域模块应用： 1. 电源管理模块：AP9575AGH-VB可用于开关电源、稳压器等电源管理模

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号 SI3456DDV-T1-GE3-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** SI3456DDV-T1-GE3-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：6A - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V - 门源电压阈值 (Vth)：1.2V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOT23-6 **产品应用简介：** SI3456DDV-T1-GE3-VB 是一款 N沟道MOSFET，具有较低的漏极-源极电阻 (RDS(ON))，高额定电流和适中的电压额定值，适合用于各种电子设备和

DD1000S33HE3 是一款 IHV B 3300 V, 1000 A 型130mm 二极管模块，采用 EC3 二极管。 F4-150R12KS4 是一款1200 V 150 A 四单元 IGBT模块，采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测。 FZ2400R33HE4 是一款3300 V 2400 A 单开关 IGBT模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管，适用于牵引和工业应用的成熟解决方案。 FZ1200R33HE4DB9 是一款IHV B 3300 V，1200 A 190 mm单开关IGBT模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管。它非常适合用于运输和工业应用的经验丰富的解决方案。 FZ120

型号：2SJ179-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大连续电流：-5.8A - 静态开启电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：20V（±V） - 阈值电压（Vth）：-0.6V 至 -2V - 封装类型：SOT89-3 应用简介： 2SJ179-VB 是一款P沟道MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块： 1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和

型号: IRF530S-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 100V - 最大电流: 20A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 100mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 106mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1.7V - 封装: TO263 应用简介: IRF530S-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** IRF530S-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其高额定电压和适中电流容忍能力使其适用于各种电源开关电路。 2. **

型号：APM7313KC-TRL-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 极性：2个N沟道 - 额定电压：30V - 最大连续漏极电流：6.8A（上管），6.0A（下管） - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ 10V，26mΩ @ 4.5V - 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V） - 開啟電壓（门极阈值电压）：1.73V - 封装：SOP8 应用简介： APM7313KC-TRL-VB是一对N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，常用于电源开关、电流控制和功率放大器等应用中。 应用领域： 1. **电源开关**：APM7313KC-TRL-VB的N沟道MOSFET适用于开关电源、DC-

型号：IRF5305STRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：P沟道 - 额定电压：-60V - 最大电流：-30A - 导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1~-3V - 封装：TO263 应用简介： IRF5305STRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要功率开关、电源管理和电流控制的高功率应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **功率开关模块**： - 由于其P沟道MOSFET的高电流承受能力和低导通电阻，IRF5305STRPBF-VB适用于功率开关模块

型号：IRFR540ZTRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 - 额定电压：100V - 最大电流：40A - 开态电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：1.8V - 封装：TO252 应用简介： IRFR540ZTRPBF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET具有低开态电阻和适中的电压电流特性，适用于电源开关、电机控制、电池保护和其他高功率电路。 主要特点和应用领域： 1. **电源开关**：IRFR540ZTRPBF-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关

型号：AO8810-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：2个N沟道 - 额定电压：20V - 最大连续电流：7.6A - 静态开启电阻（RDS(ON)）：13mΩ @ 4.5V, 20mΩ @ 2.5V - 门源极电压（Vgs）：12V（±V） - 阈值电压（Vth）：0.6V - 封装类型：TSSOP8 应用简介： AO8810-VB 是一款2个N沟道低电压低导通电阻MOSFET集成在同一封装中，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块： 1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于低电压电源开关模块，以实现电源的高效开关和调

TS2431是一款低压差稳压器，具有以下技术参数： 1. 工作电压范围：2.5V至16V 2. 输出电压范围：1.24V至15V 3. 最大输出电流：100mA 4. 静态电流：80μA 5. 负载调整率：0.1%/mA 6. 温度系数：60ppm/℃ TS2431主要应用于需要稳定电压的电子设备中，例如： 1. 电源管理系统 2. 通信设备 3. 汽车电子系统 4. 工业控制系统 5. 家用电器 TS2431的优点是低静态电流和低压差，能够提供稳定的输出电压，适用于需要长时间运行的电子设备。 更多芯片品牌型号的技术参数http://www.ics

型号：NCE0117-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 - 额定电压：100V - 最大电流：18A - 开态电阻 (RDS(ON))：127mΩ @ 10V, 132mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：2~4V - 封装：TO220 应用简介： NCE0117-VB是一款N沟道MOSFET，适用于需要高电压承受能力和中等电流的应用。这款MOSFET可用于电源开关、电机控制、电池保护和其他需要高性能的电路。 主要特点和应用领域： 1. **电源开关**：NCE0117-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高电压承受能力和

型号：STS10PF30L-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大连续漏极电流：-11A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V，13mΩ @ 4.5V - 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V） - 開啟電壓（门极阈值电压）：-1.42V - 封装：SOP8 应用简介： STS10PF30L-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻，适用于多种高性能电子应用领域。 应用领域： 1. **电源模块**：STS10PF30L-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保

专做品牌:英飞凌/圣邦微/国巨普思pulse/TI德州 ST车规 威世 富鼎先进..等等

型号：IRF9328TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-11A - 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1.42V - 封装：SOP8 应用简介： IRF9328TRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要功率开关和负载开关的应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **电源开关模块**： - 由于其P沟道MOSFET的特性，IRF9328TRPBF-VB适用于电源开关模块，可用于功率开关和电源管理。 - 在便携式电

型号：AO6602-VB 品牌：VBsemi 参数： - N+P沟道 - 额定电压：±20V - 最大电流：7A（正向） / 4.5A（反向） - 开态电阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 4.5V（正向） / 70mΩ @ 2.5V（反向） - 阈值电压 (Vth)：0.71V（正向） / -0.81V（反向） - 封装：SOT23-6 应用简介： AO6602-VB是一款N+P沟道MOSFET，具有双通道设计，适用于多种应用，包括功率开关、电流控制和电源管理。 主要特点和应用领域： 1. **功率开关**：AO6602-VB可用于功率开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其双通道

型号：STD10PF06T4-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-60V - 最大连续电流：-38A - 静态开启电阻（RDS(ON)）：61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：20V（±V） - 阈值电压（Vth）：-1.3V - 封装类型：TO252 应用简介： STD10PF06T4-VB 是一款P沟道功率MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块： 1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现电源的高效开关和调节。它适用于工业电源系统和高电流电

型号: CMD20N06L-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 最大电流: 45A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 24mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 28mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1.8V - 封装: TO252 应用简介: CMD20N06L-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** CMD20N06L-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的高电压容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。 2. *

型号：IPD50P04P4-13-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-40V - 最大连续漏极电流：-65A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V，13mΩ @ 4.5V - 门极-源极电压（Vgs）：20V（±V） - 開啟電壓（门极阈值电压）：-1.6V - 封装：TO252 应用简介： IPD50P04P4-13-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有极高的电流承受能力和非常低的漏极-源极电阻，适用于多种高性能电子应用领域。 应用领域： 1. **电源模块**：由于IPD50P04P4-13-VB具有非常低的漏极