你觉得rtx50旗舰核心gb202的die size是多大

1.根据kopite7kimi提供消息，4np(nv定制工艺，不等同于tsmc n4p)，相比于4n（rtx40核心的工艺），两者都基于5nm工艺制程，但前者密度提升30%，已知4n的密度按ad102（763亿、609平方毫米）算，是125.3mts/mm2，那么4np将达到162.3，要知道苹果a17pro所使用基于3nm制程的n3b工艺，密度水平为183。如果此消息属实，gb202可实现ad102相同面积（609mm2）下，再堆额外30%的晶体管数量，核心面积如果再大些，就可以塞下超过1000亿的晶体管。但是同制程节点下密度提升如此幅度，让人很难相信，因为此前没有先例。此消息用作参考。
2.只考虑monolithic单片封装，如果你认为nv有可能在gb202上使用多芯片mcm，请写明以作区分，并给出芯片数量、总核心面积和晶体管数量。
3.一楼图是rtx40全系核芯ad102/103/104/106/107的简要specs，媒体认为下代rtx50的核心命名为gb202/203/205/206/207。此图用作参考。