IC器件：CC2564CRVMR，MX66L2G45GXRI00，STM32F429VGT6TR，IPD06P004N（供求）
CC2564CRVMR：RF TxRx + MCU 蓝牙 蓝牙 v4.2 2.4GHz 76-VQFN 双排
类型 TxRx + MCU 射频收发器 IC
协议 蓝牙 v4.2
频率 2.4GHz
功率 - 输出 10dBm
灵敏度 -96dBm
串行接口 UART
电压 - 供电 1.7V ~ 4.8V
电流 - 传输 112.5mA
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 76-VQFN （8x8）表面贴装型
MX66L2G45GXRI00：FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb SPI - 四 I/O，DTR 166 MHz 24-CSPBGA（6x8）
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 2Gb
存储器组织 256M x 8
存储器接口 SPI - 四 I/O，DTR
时钟频率 166 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳 24-CSPBGA（6x8）表面贴装型
STM32F429VGT6TR：ARM® Cortex®-M4 STM32F4 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 1MB（1M x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）
内核规格 32 位单核
速度 180MHz
I/O 数 82
程序存储容量 1MB（1M x 8）
程序存储器类型 闪存
RAM 大小 256K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 1.8V ~ 3.6V
数据转换器 A/D 16x12b；D/A 2x12b
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳 100-LQFP（14x14）表面贴装型
IPD06P004N：表面贴装型 P 通道 60 V 16.4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16.4A（Tc）
驱动电压（Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 90 毫欧 @ 16.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 4V @ 710µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 27 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 1100 pF @ 30 V
功率耗散 63W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63，表面贴装型
明佳达电子，星际金华长期（供求）原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
（供求型号）CC2564CRVMR，MX66L2G45GXRI00，STM32F429VGT6TR，IPD06P004N。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
CC2564CRVMR：RF TxRx + MCU 蓝牙 蓝牙 v4.2 2.4GHz 76-VQFN 双排
类型 TxRx + MCU 射频收发器 IC
协议 蓝牙 v4.2
频率 2.4GHz
功率 - 输出 10dBm
灵敏度 -96dBm
串行接口 UART
电压 - 供电 1.7V ~ 4.8V
电流 - 传输 112.5mA
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 76-VQFN （8x8）表面贴装型
MX66L2G45GXRI00：FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb SPI - 四 I/O，DTR 166 MHz 24-CSPBGA（6x8）
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 2Gb
存储器组织 256M x 8
存储器接口 SPI - 四 I/O，DTR
时钟频率 166 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳 24-CSPBGA（6x8）表面贴装型
STM32F429VGT6TR：ARM® Cortex®-M4 STM32F4 微控制器 IC 32 位单核 180MHz 1MB（1M x 8） 闪存 100-LQFP（14x14）
内核规格 32 位单核
速度 180MHz
I/O 数 82
程序存储容量 1MB（1M x 8）
程序存储器类型 闪存
RAM 大小 256K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 1.8V ~ 3.6V
数据转换器 A/D 16x12b；D/A 2x12b
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳 100-LQFP（14x14）表面贴装型
IPD06P004N：表面贴装型 P 通道 60 V 16.4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16.4A（Tc）
驱动电压（Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 90 毫欧 @ 16.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 4V @ 710µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 27 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 1100 pF @ 30 V
功率耗散 63W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63，表面贴装型
明佳达电子，星际金华长期（供求）原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
（供求型号）CC2564CRVMR，MX66L2G45GXRI00，STM32F429VGT6TR，IPD06P004N。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
