200v低压mos管SVT20240NT采用士兰微LVMOS工艺,具有优越的开关性能、很高的雪崩击穿耐量及较低的导通电阻,SVT20240NT极性、封装、导通电阻及耐压和IRFB4227PBF TO-220基本一致,IRFB4227国产替代料可用SVT20240NT代换。
200v低压mos管SVT20240NT采用士兰微LVMOS工艺,具有优越的开关性能、很高的雪崩击穿耐量及较低的导通电阻,SVT20240NT极性、封装、导通电阻及耐压和IRFB4227PBF TO-220基本一致,IRFB4227国产替代料可用SVT20240NT代换。