ROHM罗姆晶体管N 通道RE1L002SNTL QQ: 2355301420
一般信息
数据列表EMT3 TL Taping Spec;
RE1L002SN;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列-
其它名称RE1L002SNTLTR
规格
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mA
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)15pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)150mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)
封装/外壳SC-89,SOT-490
ROHM罗姆晶体管N 通道RE1L002SNTL 图片:
一般信息
数据列表EMT3 TL Taping Spec;
RE1L002SN;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列-
其它名称RE1L002SNTLTR
规格
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mA
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)15pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)150mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)
封装/外壳SC-89,SOT-490
ROHM罗姆晶体管N 通道RE1L002SNTL 图片: