硅碳棒的电气性能
硅碳棒具有较大的比电阻，在空气中通电加热，发热部表面温度1050±50℃时，电阻率为600-1400Ω-mm2/M.硅碳棒的电阻随温度升高而变化，从室温到800℃。电阻-温度特征曲线为负值，温度高于800℃为正值。


硅碳棒表面负荷
硅碳棒表面负荷=额定功率/发热部表面积（W/cm2）
硅碳棒表面负荷大小与其使用寿命长短关系很大，因此，在通电加热时要严格控制在允许负荷范围之内，切忌超负荷使用。
硅碳棒发热部表面温度与相应炉温下，发热部单位表面允许负荷如上表。
气氛对硅碳棒的影响
炉内气氛对硅碳棒电热元件的使用寿命有重要影响，硅碳棒在使用过程中逐步氧化产生SiO2，分隔SiC结晶颗粒，局部电阻增大、体积膨胀，直至最后断裂。
硅碳棒电热元件在干燥洁净空气中连续使用（1450℃）寿命可达2000小时。
气 氛 元件最高使用温度（℃）
空 气 1600
真 空 1000-1200
氮 气 1350
氢 气 1200
烃 气 1250