基于现在的智慧城市概念，越来越多的人开始选择南京中科微的超低功耗无线射频芯片SI24R2E，研发设计袖珍型标签。
SI24R2E简介：使用国外IP核固化，确保标签不会因为死机并且带来了非常可观的超低功耗睡眠电流 0.5uA。经过每年20kk pcs的出货，在性能上得到市场认可，并带来了全新的设计概念的SI24R2F，尽请期待，美好如期而至。
2.45G有源RFID标签行业，目前根据行业不同，对标签的工作寿命的要求都是一致的，要求工作年限足够久。那么在PCB设计上就需要引起大家的注意。
1.SI24R2E的 CE、CSN、SCK、MOSI 四个引脚强制10K电阻上拉，普通精度的电阻即可。
2.选用16MHz 9pf负载电容的晶振，起振速度快，芯片在standby转换到TX模式的时间减短。
3.电池端储能保护电容合理选用。理论上，发射功率0dbm，选用电容需不低于22uF。发射功率4dbm，选用电容不低于47uF。发射功率7dbm，选用电容不低于100uF。（实际应用中，还是会有电容击穿的概念，在生产中一定要严格注意功耗测试时，整机的静态功耗是否异常，漏电流较大的电容较容易击穿）
4.有条件的客户，电池不要使用人工焊接。通过机器点焊，人工带来的不确定性，后续是无法通过验证不良品的。
5.触点烧录的客户，要注意VCC和GND之间的位置，放置因为夹具带来的不确定性，造成电池短路引入永久损坏的可能性。
王工13631676419 QQ2355239043