Intel秀最高密度10nm晶圆:领先台积电/三星整整一代
9月19日,Intel在北京举办精尖制造日活动,全面展示和介绍了自己先进的半导体制造工艺。
Intel 10nm工艺的最小栅极间距从70nm缩小至54nm,最小金属间距从52nm缩小至36nm,使得晶体管密度达到每平方毫米1.008亿个晶体管,业内最高,是之前Intel 14nm工艺的2.7倍,大约是业界其他“10nm”工艺的2倍。
9月19日,Intel在北京举办精尖制造日活动,全面展示和介绍了自己先进的半导体制造工艺。
Intel 10nm工艺的最小栅极间距从70nm缩小至54nm,最小金属间距从52nm缩小至36nm,使得晶体管密度达到每平方毫米1.008亿个晶体管,业内最高,是之前Intel 14nm工艺的2.7倍,大约是业界其他“10nm”工艺的2倍。