什么是CMP化学机械研磨抛光？ CMP（Chemical Mechanical Polishing）其实为化学与机械研磨（CMP）的意思，化学作用与机械作用平等。

1.晶圆中心检测 为了获取到晶圆的中心，可连续在三个不同的位置进行晶圆边界检测，获取三个边界点A、B和C。然后分别做AB和BC的中垂线，根据三点定圆原理，即可求出晶圆的圆心位置。晶圆边界的提取可分为三部分： 图像二值化、图像腐蚀、边缘提取。 2.晶圆调平 晶圆片放到Chuck台上，晶粒排列方向与X轴运动方向存在一个倾角，需要将晶圆摆正，使晶粒的排列方向与X轴同向，这样在进给运动的时候，只需要做X向或Y向运动，简化了探针测试的运动

随着汽车电子、光伏、工业自动化等许多领域技术的不断发展，芯片在各种恶劣温度环境下的应用也越来越广泛。晶圆高低温测试变得越发重要，探针台作为晶圆测试的关键设备，其工作原理是利用探针台的探针与被测器件上的PAD点精准对针，将测试机输出激励信号进行互通与信号反馈，最终完成测试数据的获取采集。 当前，晶圆高低温测试较为常见的测试温度范围一般在-45°C至150°C区间，晶圆可靠性的测试温度在300°C左右，而有些晶圆测试要求温

晶圆紫外线光阻硬化系统1.提高光阻剂耐热性2.提高光阻剂耐电浆性3.最大限度的控制缩变率4.光阻作为遮罩时的热稳定性提升(Tg up)5.可在更高温下进行制程6.维持离子注入时参杂分布 高功率UV照射室，升温/水冷一体的STAGE设计，在线量测照度，精密管理UV制程，标准放置站，可选open cassette/ FOUP，晶圆厂自动化产线。SEMI S2 安全认证。 两片晶圆从照射到冷却完成放回CASSETTE用时144秒，平均一片处理时间为72秒产速为50WPH

系统: • -65ºC 到 +200ºC 扩展温度范围，低噪声，直流控制系统。 • 在前面板上可设置多达5个温度和斜坡/浸泡/循环热循环装置。 • LAN ， RS232；可选:GPIB.• 无需液氮或任何其它消耗性制冷剂. • 高效的冷却系统，用于可靠、低温测试混合动力车和其他高功率设备. 高低温度卡盘: • 温度控制真空卡盘可容纳300毫米的晶圆. • 高精度，控温性好，稳定性均匀. • 可提供标准、高隔离性和防护配置. • 先进的卡盘设计提供了低杂散电容和高接地电阻，

半导体行业 晶圆搬运方向

随着现代集成电路的设计越来越复杂，晶圆包含的元件数量巨大，也给测试带来诸多挑战： 电噪声干扰： 由于电磁辐射、电磁感应或电流耦产生的电噪声可以引起电信号的干扰，它会对测试的准确性和稳定性产生负面影响，从而导致测试结果的失真和不可靠。 电磁相互干扰： 在晶圆测试过程中，不同测试信号之间可能会发生电磁相互干扰。这可能导致测试结果的失真，或者在测试过程中引入其他问题。 温度管理： 在高密度的集成电路上进行测试，

在半导体制造中，晶圆研磨制程（Wafer Grinding）是确保芯片高性能与可靠性的关键环节。随着5G、AI、物联网等技术的快速发展，对芯片的厚度、平整度及良率要求日益严苛，晶圆研磨技术的重要性愈发凸显。本文将深入解析晶圆研磨的工艺优势、技术突破及行业应用，助力企业抢占技术制高点。 一、晶圆研磨制程：芯片薄化的“精密手术” 晶圆研磨是通过机械或化学机械方式对晶圆背面进行减薄处理的工艺，目的是满足先进封装（如3D IC、Fan-Out）对

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中扮演着至关重要的角色。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的加工过程中，研磨是一个关键步骤，而研磨刀片与碳化硅衬底间的振动是影响TTV均匀性的一个重要因素。本文旨在探讨如何通过减少这种振动，以提高碳化硅衬底的TTV均匀性。 一、振动对碳化硅衬底TTV均匀性的影响

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在半导体材料加工领域，碳化硅（SiC）因其卓越的物理和化学性质，如高硬度、高热导率和化学稳定性，成为制造高性能电子器件的关键材料。然而，碳化硅衬底的加工过程，尤其是切割阶段，对总厚度变化（Total Thickness Variation, TTV）的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。本文旨在探讨降低切割速度对切割力稳定性的影响，以及这种影响如何不利于碳化硅衬底TTV的均匀性。 一、切割

在半导体材料制造领域，碳化硅（SiC）因其卓越的物理和化学性质，如高硬度、高热导率和化学稳定性，成为制造高性能电子器件的理想材料。然而，碳化硅衬底的加工过程，尤其是切割阶段，对总厚度变化（Total Thickness Variation, TTV）的均匀性有着极高的要求。TTV的均匀性直接关系到后续封装工艺的顺利进行以及最终器件的性能和可靠性。因此，如何通过调整切割参数来提高碳化硅衬底TTV的均匀性，成为了一个值得深入探讨的课题。 一、理解TTV均匀

中冷低温高低温度卡盘TC200 系列特点： • -65ºC 到 +200ºC 扩展温度范围，低噪声，直流控制系统。 • 在前面板上可设置多达5个温度和斜坡/浸泡/循环热循环装置。 • LAN ， RS232；可选:GPIB. • 无需液氮或任何其它消耗性制冷剂. • 高效的冷却系统，用于可靠、低温测试混合动力车和其他高功率设备 高低温度卡盘: • 温度控制真空卡盘可容纳300毫米的晶圆. • 高精度，控温性好，稳定性均匀. • 可提供标准、高隔离性和防护配置. • 先进的卡盘设计提

在半导体材料科学中，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率和优异的化学稳定性，正逐渐成为功率电子、高频器件以及极端环境下工作的电子器件的首选材料。然而，在碳化硅衬底的加工过程中，总厚度变化（Total Thickness Variation, TTV）的测量，尤其是边缘部分的TTV，对于确保器件的性能和可靠性至关重要。本文旨在探讨碳化硅衬底边缘TTV测量的意义和影响，以期为半导体材料的加工和优化提供有益的参考。 碳化硅衬底边缘TT

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这是一款最低温取决于所用冷却液的类型和温度的冷却机，测试温度可以控制在-65℃到+200℃之间。空气温度为+25ºC时，低温温度为+20ºC；水温度为+25ºC时，低温为+5ºC。极限低温指定在空载时，卡盘保持在静止空气环境中，最大温度为+25℃。当卡盘直径增大时，极限低温可能会随着时间的推移而降低。对于直径为200mm的ThermoChuck配置，极限低温可降低至5ºC。冷却液管路集成、布线和长度将影响低温性能。 该系统因其紧凑的冷却机组、极小的占地面积、

引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此，采用高效的化学机械清洗方法，以彻底去除SiC外延片表面的污染物，成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法，包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片

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美国,logosol,LRC-x31g3,LRC-x31g2,MCL5,WHP,H1,H3,H4,H5,E5,晶圆处理平台 晶圆处理平台 Logosol 晶圆处理平台涵盖了多种产品和服务，源自超过 30 年的半导体自动化经验。其技术包括硬件、软件、机械设计、制造、集成和应用工程。公司设计的晶圆处理机器人和预对准器，旨在满足需要在半导体制造厂内替换旧产品的应用需求，并支持OEM制造商的新开发资本设备中的自动化物料处理。这些产品线使用完全由 Logosol 拥有和控制的技术，包括运动控制电子、晶圆处理固

美国,Logosol,LPA12FS-3,独立晶圆预对准器描述： 独立晶圆预对准器 创新的高性能一体化设计，消除了外部控制器和连接电缆，同时保持与现有系统的兼容性 基于专有设计的快速交换功能，允许在针脚水平以下进行晶圆夹具装载 先进的扫描电子技术能够在不进行机械重新定位的情况下检测透明、半透明和不透明物体，适用于不同晶圆尺寸 运动控制软件包含一整套常用命令，支持与多种半导体平台的兼容性和接口 典型对准周期时间小于五秒，帮助实现最

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美国,Logosol,LPA26-3,独立式晶圆预对准器，创新的高性能一体化设计，消除了外部控制器和连接电缆，同时保持了与现有系统的兼容性。采用超低惯性无刷电机驱动，实现平稳、即时的响应。 先进的扫描电子技术能够在不同晶圆尺寸之间无需机械重新定位，检测透明、半透明和不透明物体。运动控制软件具有一整套常用命令，支持与多种半导体平台的兼容和接口。 典型对准周期时间少于四秒，有助于实现最大系统吞吐量。V信：Judylin1020 美国,Logosol,LPA312-

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Logosol,LPA812EH-3-REHV1-S38-S(B)-R820V-NE-C(X,Y),晶圆预对准器,适用于两种晶圆尺寸,边缘接触区小于1毫米，并具有三种不同的针配置。 C型（十字）配置：提供最均匀的晶圆支撑，并且从三个侧面具有相等的接入空间。 X型配置：为超过6英寸宽的末端执行器提供空间，并且从两个侧面具有相等的接入空间。 Y型配置：与晶圆的物理接触最小（仅在旋盘和针上有3个接触点），并且从两个侧面具有相等的接入空间。 接口入口：侧面（可选底部） LPA812EH-3-REHV1-S38-S(B)-R

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有没有哪家有DISCO DGP8761这台减薄设备的呀？希望能达到将晶圆最终减薄到30um。

引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中，硅面贴膜是一道关键步骤，用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而，贴膜后的清洗过程同样至关重要，它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步骤、所用化学试剂及其作用，以及清洗后的质量评估。 清洗方法的重要性 碳

一、晶圆测试简介 晶圆测试，英文全称：Wafer Acceptance Test，简称：WAT。在晶圆加工过程中进行的测试，晶圆厂可以在早期识别晶圆加工中的问题，如掺杂浓度不一致、光刻问题或蚀刻缺陷等，从而及时调整生产过程，避免大规模生产不良产品。WAT是在晶圆水平上进行的，目的是在芯片切割和封装之前发现并排除制程中产生的缺陷。在这个阶段，测试是通过探针卡连接到芯片上的测试点来进行的。探针卡上有成百上千的小针脚，这些针脚与芯片上的测

Logosol的经过时间考验的技术和高可靠性标准是行业中最广泛的预对准器系列的基础。预对准器产品系列支持处理从45毫米到480毫米的对象，具有任何透明度水平，从不透明到完全透明。Logosol独特的一体化设计和多功能控制软件使其能够与各种半导体平台实现即插即用的兼容性和接口。 独立式 自主设备，用于对45毫米至480毫米的对象进行高精度对准，包括正方形和双层基板，具有单元处理多种尺寸对象而无需机械重新定位、夹具负载和销负载模式以及

TC-A系列是一款温度范围为-60℃到+200℃（可选+300℃）气冷型高低温晶圆卡盘系统，主要由空气冷却卡盘和温控器组成。系统具有宽泛的温度控制范围、紧凑的冷却套件、纯空气制冷、高温度精度与稳定性控制等特性，广泛应用于各种尺寸（4”,6”,8”12”）的半导体器件或晶圆的变温电学性能关键参数分析，如：功率器件建模测试、晶圆可靠性评估、生产型变温检测，变温光电测试、射频变温测试等。同时，我们采用高品质的材料和制造工艺，确保系

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在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能，而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色，环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比，对测量结果产生着显著影响。 一、常见

一、硅晶圆是什么？ 硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。 由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后

在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中，而晶圆的环吸方案因其独特设计，与传统或其他吸附方案相比，对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。 一、常见吸附方案概述 传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上，能提供稳定的吸附力，确保晶圆在测量时位置固

一、引言 随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC器件制造的关键。钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置作为一种先进的生长设备，以其独特的结构和高效的生长性能，成为制备高质量SiC外延片的重要工具。本文将详细介绍钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置的结构、工作原理及其在应用中

高低温载物台CHUCK是一款温度范围为-65℃到200℃气冷型高低温卡盘系统，主要由气冷高低温卡盘和气冷温控器组成。系统具有宽泛的温度控制范围、紧凑的冷却套件、纯空气制冷、高温度精度与稳定性控制等特性，广泛应用于八英寸及以下尺寸的半导体器件或晶圆的变温电学性能关键参数分析，如：功率器件建模测试、晶圆可靠性评估、生产型变温检测，变温光电测试、射频变温测试等。 高低温载物台CHUCK的特点 • 仅使用空气冷却—无液体或帕尔贴

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碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的半导体材料，在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延生长是实现高性能SiC器件制造的关键环节。然而，SiC外延生长过程对温度、气氛、衬底质量等因素极为敏感，因此需要设计一种高效、稳定的高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法，以满足工业生产的需求。 装置结构 高温大面积碳化硅外延生长装置主要由以下几个部分组成：密闭工作室、石

随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。 结构概述 8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组成：外延生长室、硬质保温层、导气管连接器、上游导气管和下游

一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。 二、外延填充方法 1. 实验准备 在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。 生

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