FS75R12KE3 模块，客户装在板子上用仪器测试，都是显示导通状态，一二脚短路。渠道那边说像这种模块，需要直接装整机测试，不能单板子去进行测试。请问是不是有这样一种说法？

TASKING VX-toolset for AURIX Development Studio (non-commercial)：program builder ι amk F124：[lbk]"makefile" 5/0[rbk] missing separator."amk -j16 all" terminated with exit code 2. Build 有大佬知道这个报错怎么解决么？

这是谁

型号：vsd090n10ms-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 最大持续电流：18A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：1.6V - 封装：TO252 详细参数说明： vsd090n10ms-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 100V 的额定电压和最大持续电流为 18A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 115mΩ @ 10V 和 121mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 1.6V。 应用简介： vsd090n10ms-VB 通

IDL12G65C5 KQ100N60T IKW75N60H3 IKW75N65EH5 IPU80R2K4P7 IR35221MTRPBF IR3566BMTRPBF SMBTA42E6327 TLE7250XSJ 1ED3125MU12F BCW68HE6327 BSL211SPH6327 IDL12G65C5 KQ100N60T IKW75N60H3 IKW75N65EH5 IPU80R2K4P7 IR35221MTRPBF IR3566BMTRPBF SMBTA42E6327 TLE7250XSJ 1ED3125MU12F BCW68HE6327 BSL211SPH6327 IRFHM8235TRPBF TLE5501 E0001 1EDI20I12AH BAS2103WE6327 BCR35PNH6327 IMZA120R020M1H IPA60R160P7 IPB65R050CFD7AATMA1 TLE8209-2SA AIKW30N60CT BGT60TR13CE6327 ICE3AR2280JG ICE5QR4770AG IDH04G65C6 IPB90R340C3 IPD60R1K0CE IPP60R060C7 TLE9562-3QX IPD60R280P7S IPP90R340C3 IR35215MTRPBF IR4322MTRPBF XDPE132G5H-G00

型号: TPC8107-VB 品牌: VBsemi 参数: P沟道, -30V, -11A, RDS(ON) 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); -1.5Vth (V) 封装: SOP8 详细参数说明和应用简介： 1. 沟道类型：P沟道 - 这表示这是一种P沟道MOSFET，通常用于需要控制负电压电源的应用。 2. 额定电压 (VDS)：-30V - 这是沟道MOSFET能够承受的最大负电压，表示它适用于需要处理高达-30V的电路。 3. 额定电流 (ID)：-11A - 这是沟道MOSFET的额定电流，表示它可以处理的最大负电流负载。 4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))： - RDS(ON)是沟道

型号：IRLR120NTRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 最大连续电流：18A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.6V - 封装类型：TO252 应用简介： IRLR120NTRPBF-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高电压和高电流性能的电子应用领域。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源管理：这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以

型号：SPN9971T252RG-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：60V - 最大电流：45A - 静态导通电阻(RDS(ON))：24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V, 20Vgs(±V) - 阈值电压(Vth)：1.8V - 封装类型：TO252 应用简介： SPN9971T252RG-VB是一种高性能N沟道MOSFET晶体管，适用于多种高电压和高电流的电子设备和应用领域。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源模块：SPN9971T252RG-VB可用于电源模块，以支持高电压和高电流的应用，适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。 2. 电机控制：该MOSFET适

型号：UTT25P10L-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-100V - 额定电流：-18A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：167mΩ @ 10V, 178mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：-1.6V - 封装类型：TO220 应用简介： UTT25P10L-VB是一款P沟道场效应晶体管（FET），具有高额定电压和电流特性，以及相对低的导通电阻。这使其适合在高功率电子应用中使用，以有效地控制电流和电压。 应用领域： 1. 电源开关模块：UTT25P10L-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换

型号：SI4401BDY-T1-E3-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-40V - 最大持续电流：-11A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：-1.7V - 封装：SOP8 详细参数说明： SI4401BDY-T1-E3-VB 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-40V 的额定电压和最大持续电流为-11A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 13mΩ @ 10V 和 17mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为-1.7V。 应用简介： SI4401BDY-T1-E3-

型号: SM2300NSA-VB 品牌: VBsemi 参数: N沟道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V); 0.45~1Vth (V) 封装: SOT23 详细参数说明和应用简介： 1. 沟道类型：N沟道 - 这表示这是一种N沟道MOSFET，通常用于电子设备中，特别是需要控制正电压电源的应用。 2. 额定电压 (VDS)：20V - 这是沟道MOSFET能够承受的最大电压，表示它适用于需要处理高达20V的电压的电路。 3. 额定电流 (ID)：6A - 这是沟道MOSFET的额定电流，表示它可以处理的最大电流负载。 4. 静态漏极-源极电阻 (RD

型号：STB55NF06L-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 最大连续电流：75A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.9V - 封装类型：TO263 应用简介： STB55NF06L-VB是一款高电压、高电流N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高性能功率开关的应用。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源管理：这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以提供

型号：RTR025P02TL-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - P沟道 - 额定电压：-20V - 最大电流：-4A - 静态导通电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V) - 阈值电压(Vth)：-0.81V - 封装类型：SOT23 应用简介： RTR025P02TL-VB是一款P沟道MOSFET晶体管，适用于各种电子设备和应用领域，具有低压降和高效能的特点。以下是一些可能的应用领域： 1. 电源管理模块：RTR025P02TL-VB适用于电源管理模块，以提供高效的电源开关，特别适用于便携式设备和充电管理。 2. 电池保护：这款MOSFET可

型号：KD2310-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 额定电流：4A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：85mΩ @ 10V, 96mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1~3V - 封装类型：SOT23 应用简介： KD2310-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），广泛用于各种电子应用中。这款晶体管具有较高的额定电压和电流，以及低导通电阻，使其适合在多种电路中使用。其小巧的SOT23封装适合空间受限的应用。 应用领域： 1. 电源开关模块：KD2310-VB可用于电源开关电路，如

型号：4410-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大持续电流：12A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth) 范围：0.8~2.5V - 封装：SOP8 详细参数说明： 4410-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有30V的额定电压和最大持续电流为12A。它的RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为12mΩ @ 10V 和 15mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）在0.8V至2.5V范围内可调。 应用简介： 这种型号的MO

型号：MDU1517RH-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：120A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：3mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.79V - 封装类型：DFN8(5X6) 应用简介： MDU1517RH-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于多种领域模块，具有以下应用潜力： 1. 电源管理模块：这个器件的高电流承受能力和低导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块，提供高效的电源管理。 2. 电机控制：在电机驱动和控制应用中，MDU1517RH

型号：CEM4228-VB 品牌：VBsemi 参数： - 2个N沟道 MOSFET - 额定电压：60V - 最大持续电流：6A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：最大±20V - 阈值电压 (Vth)：1.5V 封装：SOP8 详细参数说明： CEM4228-VB包含两个N沟道MOSFET，专为低电压、高电流应用而设计。每个MOSFET的额定电压为60V，可以持续承受高达6A的电流。这对N沟道MOSFET具有卓越的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为27mΩ，而在4.5V电压下为32mΩ。这低的电阻有助于减小功耗和热

型号：SI2310-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：60V - 最大电流：4A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：85mΩ@10V, 96mΩ@4.5V - 门源极电压（±Vgs）：20V - 门源极阈值电压（Vth）范围：1V至3V - 封装类型：SOT23 应用简介： SI2310-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高电压承受能力和适中的电流承受能力，低漏极-源极电阻以及可调的门源极阈值电压。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。 应用领域： 1.

型号：SI4425BDY-T1-E3-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-11A - 静态导通电阻：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.42V - 封装：SOP8 **详细参数说明：** SI4425BDY-T1-E3-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-30V，最大电流为-11A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下：在10V下为10mΩ，在4.5V下为13mΩ，驱动电压范围为±20V。阈值电压为-1.42V。该器件采用SOP8封装。 **应用简介：** SI4425BDY-T1-E3-VB适用于多种领域的模块，包括但不限于： 1. **

型号：AM40P03-20D-T1-PF-VB 品牌：VBsemi 参数：P沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V)；TO252 封装：TO252 详细参数说明： - 型号：AM40P03-20D-T1-PF-VB - 丝印：VBE2317 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-40A - 静态导通电阻：18mΩ @ 10V, 25mΩ @ 4.5V - 门源极电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.7V 应用简介： AM40P03-20D-T1-PF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子模块和应用，特别是在需要高电流开关和低导通电阻的情况下。 应用领域： 这

型号：ZXMP6A17E6TA-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 类型：P沟道 - 额定电压：-60V - 最大电流：-6.5A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10V, 60mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：-1 ~ -3V - 封装类型：SOT23-6 应用简介： ZXMP6A17E6TA-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于多种领域模块，具有以下应用潜力： 1. 电源管理模块：这款MOSFET的额定电压和导通电阻使其适用于电源开关、电源调节和稳压模块，以提供高效的电源管理。 2. 电机控制：在电机驱动和控制应用中，ZXMP6A17E6

型号：CSD17579Q3A-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 MOSFET - 额定电压：30V - 最大持续电流：40A - 静态导通电阻 (RDS(ON))：11mΩ @ 10V, 16mΩ @ 4.5V - 门源极电压 (Vgs)：最大±20V - 阈值电压 (Vth)：2.3V 封装：DFN8 (3X3) 详细参数说明： CSD17579Q3A-VB是一款N沟道MOSFET，主要设计用于低电压和高电流的应用。其额定电压为30V，能够承受高达40A的持续电流。这款MOSFET在不同电压下具有出色的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为11mΩ，而在4.5V电压下为16mΩ，表现出较低的电阻，

型号：IRF4435TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-30V - 最大漏电流：-7A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1.37V - 封装：SOP8 应用简介： IRF4435TRPBF-VB是一种P沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用，具有高电流承受能力和低导通电阻，特别适合用于功率开关和电路控制。以下是一些可能的应用领域和模块： 1. **电源开关**：这种P沟道MOSFET适用于电源开关模块，如电源开关电路、稳压器和电

型号：AP10P10GH-HF-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：P沟道 - 额定电压：-100V - 额定电流：-10A - 开通电阻（RDS(ON)）：188mΩ @ 10V, 195mΩ @ 4.5V - 门极-源极阈值电压范围（Vth）：-1.77V - 门极驱动电压范围：±20V - 封装类型：TO252 应用简介： AP10P10GH-HF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种高电压和高电流电子应用。以下是一些可能的应用领域和模块，其中这种MOSFET可能被广泛使用： 1. **电源模块**：这款MOSFET可用于高电压电源模块，如开关电源、电源逆变器和稳压器