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在半导体材料领域，碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其独特的物理和化学性质，正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳化硅衬底的加工过程中，背面减薄是一个至关重要的环节，旨在降低衬底厚度，减少电阻，提高器件的性能。然而，背面减薄过程往往会对碳化硅衬底的总厚度变化（Total Thickness Variation, TTV）产生显著影响。本文旨在探讨碳化硅衬底背面减薄过程中对TTV的管控策略，以确保碳化硅衬底的

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