1.要求会玩，未成年勿扰 2.进油系送5000真茺 3.后续每天2000真茺 4.还有各种等级抽奖道具拿 5.V 嗖 北极 互娱 回复 98 暗拍

都打完了我才知道全程限制器拉满的在那打，我就说为什么打着打着能跳一个稀有成就而且比结局成就还稀有的。也终于明白为什么某个比较前期的阶段后怪的伤害突然变高这么多，还以为加两倍伤害是给我加的

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【游戏】在冒险旅程中，您将拼凑线索，解开“晶体管”的谜团，找到它以前的主人。⬇️二楼获取。

1.3脚是发射极，2脚是基极。大脚是集电极！高频管子。

NTBGS1D5N06C：60V 单N通道功率 MOSFET 晶体管，D2PAK-7 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），267A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，12V 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），211W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：TO-263-7，D2PAK 星际金华，明佳达供应，回收NTBGS1D5N06C【N 通道功率 MOSFET 晶体管】NTHL099N60S5 NTHL099N60S5：600V N 通道功率 MOSFET 晶体管，TO-247-

描述 该 IGBT 采用先进的 Power MESH™ 工艺，在低频工作条件下（最高 1 kHz）具有极低的导通压降。 明佳达出售ST功率晶体管 STGF10NB60SD 16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管 产品型号: STGF10NB60SD 产品种类: IGBT 晶体管 技术: Si 封装 / 箱体: TO-220-3 FP 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.8 V 栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V 在25 C的连续集电极电流: 20 A Pd-功率耗散: 25 W 最小工作温度: - 55 C 最

NTP011N15MC：150V N-通道 MOSFET 晶体管 型号：NTP011N15MC 封装：TO-220-3 类型：MOSFET 晶体管 星际金华，明佳达供应，回收NTP011N15MC【MOSFET 晶体管】 一、描述： NTP011N15MC 是150V N-通道屏蔽栅极功率沟槽 MOSFET 晶体管。 二、主要特性： 屏蔽栅 MOSFET 技术 在 VGS = 10 V、ID = 41 A 时，最大 RDS(on) = 10.9 m Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50 降低开关噪声/EMI 三、产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），

NVTFS5C673NLTAG：功率 MOSFET 60V 单 N 沟道 产品说明：NVTFS5C673NLTAG 是一款 60V、9.8mΩ 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，采用 3x3mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。 产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供

IKW75N60H3：IGBT 沟槽型场截止 600V 80A 428W 通孔 型号：IKW75N60H3 封装：TO-247-3 类型：IGBT晶体管 IKW75N60H3 是高速600V IGBT 晶体管，带反并联二极管，TO-247 封装。 产品属性： IGBT 类型：沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A 功率 - 最大值：428 W 开关能量：3mJ（开），1.7mJ（关） 输入类型：标准 栅极电荷：470 nC 25°C 时 Td（开/关）值：31ns/26

【供应，收购】氮化镓晶体管（600V）IGLR60R340D1XUMA1 表面贴装型 N通道MOSFET 说明 IGLR60R340D1XUMA1 CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装，非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。 产品属性 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续漏极电流: 8.2 A Rds On

STL33N60DM2：N通道晶体管 600V 21A 表面贴装型 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc） 驱动电压：10V 功率耗散：150W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-PowerVDFN 星际金华（明佳达电子）供求原装库存器件：STL33N60DM2，IKW40N65ES5。 IKW40N65ES5：晶体管 IGBT 沟道 650V 79A 230W 通孔 PG-TO247-3 IGBT 类型：沟道 电压 - 集射极击穿：650 V 电流 - 集电极 (Ic)：79 A 电流 - 集电

1000 W LDMOS 脉冲功率晶体管，用于 960 MHz 至 1215 MHz 频率范围内的航空电子发射器应用，例如 Mode-S、TCAS、JTIDS、DME 和 TACAN。 品牌名称：Ampleon 订货周期：8-10周 特点和优势: 轻松控制电源 集成ESD保护 脉冲格式灵活性高 出色的坚固性 高效率 优异的热稳定性 专为宽带操作(960 MHz 至 1215 MHz)而设计 内部匹配，易于使用 符合关于有害物质限制 (RoHS) 的指令 2002/95/EC 应用: 1000 W LDMOS脉冲功率晶体管，适用于960 MHz至1215 MHz频率范围内的Mode-S、TCAS、JTIDS、DME和TACAN应

说明 IMZA120R007M1H采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。 系列： CoolSiC™ FET 类型： N 通道 技术： SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 225A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 @ 108A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V @ 47mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC @ 18 V Vgs（最大值）： +20V，-

我前段时间收了一台民生JK25-1 晶体管扩音器 扩音 拾音都很好 突然自己手贱 想想拆开看看什么东西 组装上不通电了 希望大佬给指点指点

这款 1600 W LDMOS RF 功率晶体管基于先进坚固耐用技术 （ART），旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。无与伦比的晶体管具有 1 MHz 至 425 MHz 的频率范围。 品牌名称：Ampleon 特点和优势： 高击穿电压可在 V 下实现 E 类操作DS= 48 伏 适用于 VDS= 50 和 55 V 最高可达 VDS= 55 伏 额定电压范围为 30 V 至 55 V，适用于扩展功率范围 轻松控制电源 集成的双面 ESD 保护可实现 C 类操作并完全关断晶体管 出色的坚固性，不会降低器件性能 高效率 优异的热稳定性 专为宽带

Ampleon成立于2015年，拥有50多年的射频功率领导地位。Ampleon在数据和能量传输方面拥有丰富的经验，他们为该领域奉献了50年，这体现在他们的工作质量上。凭借为雷达、照明、工业激光器和蜂窝基站(仅举几例)等应用提供前景广阔且有效的解决方案，Ampleon 始终如一地提供以其可靠性和卓越性而闻名的解决方案。公司希望通过基于先进LDMOS和GaN技术的高频应用创新，让世界变得更美好。Ampleon在全球拥有1,600多名员工，致力于通过密切的合作与伙伴关系

NTHL067N65S3H：N通道晶体管 通孔 650V TO-247-3 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：650 V 功率耗散：266W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-3 NVMFS014P04M8LT1G：P通道晶体管 40V 表面贴装型 5-DFN（5x6）（8-SOFL） FET 类型：P 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：40 V 功率耗散：3.6W（Ta），60W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 封装

NVMFS5C430NAFT1G：40V、185A、1.7mΩ 单 N通道功率 MOSFET 晶体管 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：40 V 功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），106W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线 NTMFS5C604NLT1G：表面贴装型 N通道 晶体管 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL） FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V 驱动电压（Rds On）：4.5V，10V 功率耗

QH8MA4TCR：MOSFET - 阵列 30V 9A，8A 1.5W 表面贴装型 TSMT8 配置：N 和 P 沟道 漏源电压（Vdss）：30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：640pF @ 15V 功率 - 最大值：1.5W 工作温度：150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-SMD，扁平引线 供应商器件封装：TSMT8 QH8MA4TCR特征： 低导通电阻

IKW40N65WR5是TRENCHSTOP™ 5 WR5反向导通IGBT是特殊反向导通IGBT系列器件，针对通常在焊接逆变器应用中的完全额定硬切换关断进行了优化。这些IGBT以具有吸引力的价格提供良好性能。WR5 IGBT具有出色的性价比，建议用于焊接中的交流-直流PFC级、UPS和太阳能应用。 型号：IKW40N65WR5 年份：新批次 产品种类： IGBT 晶体管 系列：TRENCHSTOP 5 WR5 技术：Si 封装：TO-247-3 安装风格：Through Hole 配置：Single 集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V 集电极—射极饱和电压：1.4 V 栅

型号：AIMBG120R160M1 / AIMBG120R030M1 / AIMBG120R020M1 封装：PG-TO263-7 类型：碳化硅MOSFET单管（1200V SiC Mosfet系列） 革命性的半导体材料--碳化硅 非常低的开关损耗 无阈值的通态特性 0V的关断栅极电压 基准栅极阈值电压，VGS（th）=4.5V 完全可控的dv/dt 换向稳健的主体二极管，可用于同步整流 与温度无关的关断开关损耗 用于优化开关性能的感测引脚 适用于HV爬电要求 XT互连技术可实现一流的热性能 深圳市明佳达电子，星际金华（供应且回收）AIMBG120R160M1，AIMBG120R0

二楼进Q

型号：NTMFS4C810NAT3G，NTMFS4C810NAT1G 封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 类型：单 FET，MOSFET（N 通道MOS管） 说明：表面贴装型 N 通道 30 V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 深圳市明佳达电子，星际金华（供应）NTMFS4C810NAT3G，NTMFS4C810NAT1G。 只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！ 出现货：NTMFS4C810NAT3G（8-PowerTDFN，5 引线）NTMFS4C810NAT1G FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电

IRFH5300TRPBF是一款强IRFET™功率MOSFET晶体管，它针对低RDS（开启）和高电流能力进行了优化，其整体性能非常的优越，应用广泛。 IRFH5300TRPBF器件非常适合需要性能和坚固性的低频应用。综合产品组合涵盖广泛的应用领域，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。其工作温度范围为-55°C~+150°C。 IRFH5300TRPBF是一款比较不错的功率MOSFET晶体管，其应用范围也是非常的广泛，可应用于在冲击电流下对12V（典型）母线的MOSFET进行OR运算、电池驱动直

70A 是 Tektronix 的曲线跟踪器。曲线跟踪器或曲线检查器是工程师用来分析半导体器件特性的一种电子测试设备。曲线追踪器包含电流和电压源，以刺激被测设备 (EUT)。曲线跟踪器将扫描电压施加到 EUT 的两个端子，测量在每个电压下流动的电流水平。 附加的功能： 半导体器件的高精度测量 高达 2000 伏或 10 安的电源 高达 220 瓦 1 纳安测量分辨率 低至 2 毫伏的测量分辨率 波形比较 信封显示 波形平均 点光标 开尔文感应测量 完全可编程 3.5 英寸 MS DOS 兼

MOSFET单管 AUIRG4PH50S（晶体管）1200V 57A TO247-AC 电压 - 集射极击穿：1200 V 电流 - 集电极 (Ic)：141 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：99 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)：1.7V @ 15V，33A 功率：543 W 开关能量：16mJ（关） 输入类型：标准 栅极电荷：227 nC 25°C 时 Td（开/关）值：-/616ns 测试条件：600V，33A，5 欧姆，15V 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-3 供应商器件封装：TO-247AC 说明：（AUIRG4PH50S）IGBT 1200 V 141 A 543 W 通孔 TO-247AC 明佳达电子，星际金华（供

IMBF170R1K0M1XTMA1（IMBF170R1K0M1）N通道碳化硅晶体管 型号：IMBF170R1K0M1XTMA1（IMBF170R1K0M1） FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc） 驱动电压（Rds On，Rds On）：12V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻：1000毫欧 @ 1A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)：5.7V @ 1.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：5 nC @ 12 V Vgs：+20V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：275 pF @ 1000 V 功率耗散：68W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型

型号：IMW120R007M1HXKSA1 _ IMW120R007M1H 封装：PG-TO247-3 类型：碳化硅MOSFET单管 说明：通孔 N 通道 1200 V 225A（Tc） 750W（Tc） PG-TO247-3 FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc） 驱动电压（Rds On）：15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻：9.9 毫欧 @ 108A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)：5.2V @ 47mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：220 nC @ 18 V Vgs：+20V，-5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：9170 nF @ 25 V 功率耗散：750W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 1

十个里边有九个都跟游戏无关。

供应MOSFET 晶体管 NTMFS4C05NT1G、NTMFS4C55NT1G N 通道 进口原装 质量保证 产品型号：NTMFS4C05NT1G、NTMFS4C55NT1G 制造商：ON 年份：最新 描述：N 通道 30 V 11.9A（Ta） 770mW（Ta），33W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 规格： FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极

工作电压检测、栅极漏电流检测等

一、NTMFS4C09NT1G -- 表面贴装型 N 通道 30 V 9A（Ta） 760mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL） FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta） 功率耗散（最大值）：760mW（Ta），25.5W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 二、NTMFS4C028NT1G -- 表面贴装型 N 通道 30 V 16.4A（Ta），52A（Tc） 2.51W（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL） FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电

详情请咨询以下链接，客服会提供您高效的服务。 淘宝：https://shop156106583.taobao.com/index.htm?spm=2013.1.w5002-2154 阿里：https://szsxjsic.1688.com/ 网站：http://www.xjsic.com/

以下小信号晶体管芯片可长期供应。 S9012/S9013； s9014/s9015； 5551/5401; 2N4401/2N4403; D965/D882; BC817/BC807; S8050/8550; 8050/8550; 8050M/8550M; 8050L/8550L; 9018/A42; A92/A44; A94

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1 CPU 2019 中有多少个晶体管？ 395.4 亿个 MOSFET 截至 2019 年，商用微处理器中最大的晶体管数量为 395.4 亿个 MOSFET，位于 AMD 基于 Zen 2 的 Epyc Rome 中，这是一种使用台积电 7 纳米 FinFET 制造的 3D 集成电路（单个封装中有 8 个芯片）半导体制造工艺。 2 i7中有多少个晶体管？ 21.6亿个晶体管关于这个，i7有多少个晶体管？对于第 7 代（Kaby Lake），高端四核 i7（例如：i7-7700K）的裸片尺寸增加到 126 mm² 估计晶体管数量为 21.6 亿个晶体管。 3 第一个 CPU 中有多少个

晶体三极管在电路中常用"Q"加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。

明佳达电子出售：CGH35015F晶体管 DSEP6-06AS二极管 LC1117CLTR12_热门现货 只做原装，质量保证，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！ 有兴趣的商友，请联系 QQ：1668527835 一、CGH35015F 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率：3.3GHz ~ 3.9GHz 增益：12dB 电压 - 测试：28 V 电流 - 测试：100 mA 功率 - 输出：15W 电压 - 额定：84 V 二、DSEP6-06AS 二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V 电流 - 平均整流 (Io)：6A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.02 V @ 6 A 速

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steam买的晶体管打不开怎么办，双击先显示游戏中过几秒然后就啥都没有出来，报错都没有

BSC090N03LSG晶体管 PIC16HV616T-E/ML单片机 T6020M015-TKQY芯片 型号：BSC090N03LSG、PIC16HV616T-E/ML、T6020M015-TKQY 封装：TDSON-8、QFN、SSOP 批次：新批次 数量：大量 类型：晶体管、单片机、集成电路芯片 均为深圳市明佳达电子公司长期现货供应产品，原装器件，质量保证，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！ 有兴趣的商友，请联系 QQ：1668527835 诚信供应电子元件系列产品：5G IC、新能源IC、物联网IC、蓝牙IC、车联网IC、车规级IC、基站IC、通信IC、人工智能IC、

明佳达电子供应 【晶体管】IXFA20N85XHV AUIRF4905S AON7380 原装库存器件 QQ：1668527835 型号：IXFA20N85XHV 、AUIRF4905S 、AON7380 封装：TO-263、TO-263、DFN 批次：新批次 数量：大量 类型：晶体管 深圳市明佳达电子只做原装，质量保证，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准，有兴趣的商友，请联系QQ：1668527835 诚信分销一系列模组如：5G、新能源、物联网、车联网、车规级、基站、通信、人工智能、射频、家电、晶闸管、医疗、工业、蓝牙5.0、以太网、传感器、

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整